1）采用难以产生“擎住效应”的构造（降低图 1-5 中基极－发射极间的电阻）。\r2）通过优化n 缓冲层的厚度和不纯物浓度来控制pnp 晶体管的hFE。\r3）通过导入降低寿命的因素来控制pnp 晶体管的hFE。\r通过以上的技术，IGBT 在能够维持充分保护过电流（短路）的最大耐受量的基础上，实现了\r高速交换、高耐压、大容量化，同时得到了产品化。\r限制过电流功能\r在IGBT 的实际使用上，由于装置的短路事故等原因，会出现IGBT 上有过电流流过的情况。一\r旦这种过电流持续流过，元件自身的温度急剧上升，从而形成永久性的破坏。通常情况，从这\r种过电流开始流过到造成破坏的时间用“短路最大耐受量”来表示。另外，过电流越小，相对\r应的短路最大耐受量就变得越高（长）。IGBT 方面的设计，已经设定成IGBT 自身能限制几倍\r于额定电流的短路事故时等的过电流，从而实现了在检测出过电流后能够加以充分保护的高短\r路最大耐受量。\r1- 6\r模块的构造\r♦ 基板,封装及硅胶\r。基板 。 封装\r标准型：:氧化铝 材料(CTI)\r高性能:型：氮化铝 电气间隙及爬电距离符合国际\r电气隔离度高, 热传导能力强，\r绝缘能力提高,热阻降低\r。硅胶\r防起泡\r绝缘能力提高\r防腐、防尘\r1- 7\r模块的电路构造\r/\r1-8
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