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传感器复习资料

上传者:苏堤漫步 |  格式:pdf  |  页数:6 |  大小:884KB

文档介绍
。\r光电效应:\r用光照射某一物体,可以看作物体受到一连串能量为h Y 的光子\r所轰击,组成该物体的材料吸收光子能量而发生相应的电效应的物理\r现象称为光电效应。\r外光电:光照射于某一物体上,使电子从这些物体表面逸出的现\r象称为外光电效应,也称光电发射。\r内光电:光照射于某一物体上,使其导电能力发生变化,这种现\r象称为内光电效应,也称光电导效应。基于内光电效应光电元件:光\r敏电阻、光敏二极管、光敏三极管及光敏晶闸管等。\r光生伏特:在光线作用下物体产生一定方向的电动势的现象称为\r光生伏特效应。\r压电效应:\r某些电介质在沿一定方向上受到外力的作用而变形时.,其内部会\r产生极化现象,同时在它的两个相对表面上出现正负相反的电荷。当\r外力去掉后,它又会恢复到不带电的状态,这种现象称为正压电效应。\r当作用力的方向改变时,电荷的极性也随之改变。相反,当在电\r介质的极化方向上施加电场,这些电介质也会发生变形,电场去掉后,\r电介质的变形随之消失,这种现象称为逆压电效应,或称为电致伸缩\r现象。\r霍尔效应:\r半导体薄片置于磁场中,当它的电流方向与磁场方向不一致时,\r半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势,这种\r现象称霍尔效应。该电动势称霍尔电势,半导体薄片称霍尔传感器。\r霍尔效应是半导体中的载流子(电流的运动方向)在磁场中受洛\r伦兹力作用发生横向漂移的结果。\r电路分析:(3 0 分 估 计 2 题 )\rP 1 9 2 电桥电路, 自己找其他电桥电路做分析。\rP 4 7 光 敏 三 极 管 驱 动 电 路 (a)图 (驱动继电器吸合)\r另:超 声 波 探 伤 仪 电 路 (自找,这个不确定会不会考)\r备注:可结合群上共享的那份来复习。

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