绍部分功能陶瓷及其片式元器件应用研究的新进展。 1.铁电陶瓷及其高性能片式元器件多层片式陶瓷电容器()是一种量大面广的重要电子元器件,广泛用于电子信息产品的各种表面贴装电路中。大容量、薄层化、低成本、高可*发展的主要方向。是陶瓷介质材料、相关辅助材料以及精细制备工艺相结合的高技术产品。诸多性能的关键因素。的主流材料。它在居里点附近虽然有较高的介电常数,但其温度变化率也较大。是一种有广泛而重要用途的片式元件。如何保证高介电常数与低容温变化率兼优是一个技术难题。研究结果表明:通过添加物复合掺杂,控制烧结过程以形成化学成分不均匀的“芯(铁电相)-壳(顺电相)”结构,材料的室温介电常数可达5000左右,室温介电损耗小于1%,电阻率为1011ω?m。,击穿场强高于5kv/mm,容温变化率小于或等于士10%。它为制备军用高可*提供了关键新材料。发展新一代超薄型大容量*对陶瓷材料和制备工艺提出了许多科学与技术方面的问题。的层厚由原来的几十微米降到几微米,甚至1-3μm。这对陶瓷介质材料的晶粒尺寸及微观结构的控制提出更高要求,即需要制备亚微米/纳米晶钛酸钡陶瓷。采用ni*金属内电极(basemetalelectrode,bme),必须研制抗还原烧结钛酸钡陶瓷介质材料。由于ni/ni0的平衡氧分压很低,ni电极在氧化气氛中烧结极易氧化而失去电极作用。的实用化和产业化提供了理论与技术指导。近年来,的产业化规模及其在片式多层陶瓷电容器的市场占有率不断增大,的研究热点和难点。采用高品质钛酸钡粉体和受主、施主以及稀土掺杂,通过独特的烧结工艺,制备了高性能亚微米晶钛酸钡x7r(302)抗还原瓷料。陶瓷晶粒100-400nm,室温介电常数XX-3600,击穿场强l0kv/mm,绝缘电阻率为1010ω?m,容温变化率小于或等于±12%,室温介电损耗小于0.8%。所研制的x7r302亚微米晶(300nm)*
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