58年,得克萨斯公司发明了集成电路,使电子技术进入集成电路时代。它的出现打破了由电子管,晶体管等独立电子器件和元件构成的分立元件电路的传统观念,使电子技术得应用和发展有了新的突破。1960年12月,世界上第一块硅集成电路制造成功;1966年,美国贝尔实验室使用比较完善的硅外延平而工艺制造成第一块公认的大规模集成电路。1967年出现了大规模集成电路,集成度迅速提高;1977年超大规模集成电路面世,一个硅晶片中已经可以集成15万个以上的晶体管;1988年,16MDRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;1997年,300MHz奔腾II问世採用0.25um工艺,奔腾系列芯片的推出让计算机的发展如虎添翼,发展速度让人惊叹,至此,超大规模集成电路的发展乂到了一个新的高度。2009年,intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。集成电路的集成度从小规模到大规模、再到超大规模的迅速发展,关键就在于集成电路的布图设计水平的迅速提高,集成电路的布图设计由此而日益复杂而精密。这些技术的发展,使得集成电路的发展进入了一个新的发展的里程碑。随着集成方法学和微细加工技术的持续成熟和不断发展,以及集成技术应用领域的不断扩大,集成电路的发展趋势将呈现小型化、系统化和关联性的态势。1器件特征尺寸不断缩小11965年以来,集成电路持续地按摩尔定律增长,即集成电路中晶体管的数目每18个月增加一倍。每2〜3年制造技术更新一代,这是基于栅长不断缩小的结果,器件栅长的缩小又基本上依照等比例缩小的原则,同吋促进了其它工艺参数的提高。预计在未來的10-15年,摩尔定律仍将是集成电路发展所遵循的一条定律,按此规律,CMOS器件从亚半微米进入纳米时代,即器件的栅长小于100側转到小于50run的时间将在2010
全文预览
