TR、P-MOSFET、IGBTB.GTR、P-MOSFET、IGBT、IGCTC.IGBT、MCT、GTR、GTOD.PowerDiode、MCT、GTO、IGBT2.( )是电流控制型电力电子器件。GTR、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.GTO、TRIAC3.交流调功电路( )。A.通过改变接通周波数与断开周波数的比值来调节负载所消耗的平均功率;B.靠改变移相触发角来改变输出功率;C.将电源接通几个周波,再断开几个周波;D.每个周期的控制触发角固定不变。4.造成逆变失败的原因是()。?A.?交流电源缺相或断电;?B.?晶闸管损坏(击穿、短路等);C.?触发器故障(脉冲丢失、脉冲不整齐、脉冲相序不对、脉冲延迟、触发功率过小及逆变角过小等)。?D.?晶闸管额定电压太高。5.三相桥式全控整流电路,触发信号应采用()。宽脉冲B.窄脉冲C.双宽脉冲D.双窄脉冲三、(每小题5分,共20分)1.列举出三种晶闸管变流装置的过电压保护方法。2.P-MOSFET的输出特性分为哪三个区域?3.三相桥式全控整流电路,晶闸管承受的最大正、反向电压为多少?4.无源逆变电路分为电压型和电流型两种的依据是什么?四.(共10分)额定电流为IF=100A的晶闸管,当导通角分别为90o,180o时,允许的晶闸管峰值电流各为多少?ππ(a)π/20wtiaIma0wtibImb(b) 五.(共20分)三相半波可控电路,U2=100V,E=30V,Rå=1W,L=∞。分别求出b=90o时和b=60o时的Idb值。六.(共20分)三相全控桥式变流电路,反电动势阻感负载,逆变工作状态。已知U2=230V,R∑=0.8Ω,L=∞,电动机反电势E=-290V,b=60°。求晶闸管变流装置输出的逆变电压平均值Ud;求晶闸管变流装置输出的逆变电流平均值Id;3.求此时送回电网的有功功率是多少?
全文预览
