电阻(RDS(ON))额定值为45 mΩ。2017年6月开始批量生产EASY 1B。上面的路线图上展示了英飞凌碳化硅MOSFET系列新品迭代路径。Р 据记者调研得知,SiC技术领域,中国已经紧跟国外先进国家的步伐,在芯片、外延和平台上形成了完整的生态链。业内专家表示,英飞凌代表的国际企业在6英寸晶元技术上的突破,未来碳化硅芯片产量会翻倍,芯片良率可以大规模的提升,成本大规模下降,这些利好消息都会推动包括光伏、充电桩、新能源汽车、UPS领域等碳化硅器件应用市场的升温。Р 英飞凌工业功率控制事业部总监马国伟博士介绍说,SiC材料的晶体管可以实现比硅基功率器件更高的开关频繁,因此可以提供高功率密度、超小的体积。马国伟表示:“英飞凌的CoolSiC MOSFET具备更大灵活性,可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。”Р Р 马国伟介绍说,中国的充电桩选址在城市昂贵的地段,体积要小同时还要能支持快速充电。几台车一起快速充电需要达到几百千瓦的功率,一个电动汽车充电站更是要达到百万瓦的功率,相当于一个小区用电的功率规模。传统的硅基功率器件体积大,但SiC模块则可以实现很小的体积满足功率上的要求。Р 在充电桩应用中,英飞凌的全碳化硅解决方案大幅提升功率密度,从而使充电设备变得更加轻巧便捷。台达电子推出的碳化硅高速充电桩就是一个典型的案例,台达电子经理言超表示,碳化硅模块高效率、小体积和长寿命,非常适应未来充电桩高效率充电的需求,而且在IGBT替代中,除了碳化硅外,目前没有其他新材料可以做到。Р 于代辉先生在采访当中一直强调,碳化硅市场涌入众多的竞争者,对业界和行业是一件好事,证明了碳化硅技术在全球已经得到越来越多广泛的支持,随着芯片、分立器件和模块在光伏、UPS、充电桩和其他新兴领域的应用,未来市场前景更值得期盼。
全文预览
