率稍高,且这一差距正在不断减小;Р(3)热释电器件可以有均匀的大面积敏感面,而且工作时可以不必外加偏置电压;Р(4)受环境温度的变化影响小;Р(5)热释电探测器件的强度和可靠性比其他多数探测器都要好,且制造比较容易.Р图2-1为典型的热释电传感器结构Р图2-1热释电传感器Р热释电红外传感器器件的材料有很多,在具有热释电效应的大量晶体中,热释电系数最大的为铁电晶体材料,因此,我们常见的传感器基本都是利用铁电晶体材料做成的.目前最重要的材料有硫酸三甘肽(TGS)晶体、钽酸锂(LiTaO3)晶体、锆钛酸铅(PZT)类陶瓷、聚氟乙烯(PVF)和聚氟乙烯(PZF2)聚合物薄膜等.其中TGS热释电是发展最早、工艺最成熟的热辐射探测器件,它在常温下热释电系数较大、介电常数较小,因此在较宽的频率范围内,这类探测器的灵敏度高,从而得到了广泛的应用。Р热释电传感器的品种较多,可按外形结构和内部构成的不同及性能分类。从封装、外形来分,有塑封式和金属封装(立式和卧式的)等.从内部结构分,有单探测元、双探测元、四探测元等。从工作波长来分,有:Р=1~20um,适用于温度检测Р=4.350.15um,适用于火焰检测Р=7~17um,是日常生活常用的,如用于自动门,防盗报警,节能自动灯等。Р传感器的敏感元为BST薄膜,晶体的上下两面设置电极,通常的热释电器件有面电极和边电极两种结构。面电极结构的电极面积较大,极间距离较短,因而极间电容较大,其不适用于高速应用;边电极的电极间距较大,电极面积较小,因而极间电容较小,因此在高速应用场合一般使用此种电容.Р由于热释电探测器是微分型的。只能接受到红外辐射能的一小部分,所以它只能检测到变化的温度,所以在测温时.需要在探测器前设置一个调制盘,用来提供一个交替变化的光学信号给红外探测器,然后经过探测器的光一电转换后,其传感器的输出电压正比于目标辐射与调制盘温度之差,即
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