有效地发现缺陷。Р3、tgσ试验应与绝缘电阻吸收比及泄漏电流试验一起综合判断。Р若tgσ不高,但R∞低,K1,I泄漏大出现集中性缺陷Р若tgσ高,且R∞低,K1,I泄漏大出现分布性缺陷Р若tgσ不高,且R∞及K合格,但I泄漏大出现非贯通的集中性缺陷Р有时tgσ高时也需作具体分析,有时油的质量不好引起tgσ偏高,而换油后tgσ下降。此外,如果上述项目均合格,但泄漏电流偏高,也能有效地反映变压器内部的一些未完全贯穿的集中性缺陷。Р如果tgσ、R、K、I泄漏均合格,则表明绝缘良好。Р试验方法Р一般采用专门的仪器,如西林电桥QS1或介质损耗测量仪等。Р西林电桥的结构和工作原理:Р—标准电容器 ZX—被试品Р C4—可调电容 R3—可调电阻Р电桥平衡时:各桥臂复数阻抗值应满足如下关系Zx•Z4=ZN•Z3Рtgσ=ωR4C4, R4/ R3Р通常取R4=104/п→tgδ=100п*104/п* C4=106C4(法)= C4(微法) (f =50HZ)Р即当电桥调到平衡时,C4的微法数就等于被试品tgδ值,tgδ= C4 。Р测量电容量Cx有时对于判断其绝缘状况也是有价值的。对于电容型套管,如果Cx明显增加,常表示内部电容层间有短路现象或有水分侵入。Р试验接线Р(a)正接法:被试品两端对地绝缘,实验室采用,安全。Р(b)反接法:被试品一端固定接地,一般现场试验采用,为了保证安全,使用绝缘杆操作。Р使用方法:Р调节R3、C4,使电桥平衡,即检流计中的电流为零。Р注意事项:Р电桥本体必须加以屏蔽;Р被试品和标准无损电容器连到电桥本体的引线也要使用屏蔽导线;Р电桥本体接地良好;Р反接法时,三根引线处于高压,必须悬空;Р能分开测的试品尽量分开测;Р应保持被试品表面干燥;Р试品设备有绕组时,应首尾短接起来;Р消除干扰措施:Р尽量远离干扰源或加设屏蔽Р采用移相电源Р采用倒相法Р影响tgδ的因素
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