.耐压按1.5Vdm=1.5*220=330V.元件取350V.即选用2200MF, 350V电容器.为滤除高频信号,取C1=1uf,耐压350V.Р选用二极管时,主要应考虑其最大电流、最大反向工作电压、截止频率及反向恢复时间等参数。二极管承受最大反向电压:U=Sqrt(6)*U2=392V 考虑3倍裕量,则U=3*392=1176V,取1200V最大电流按Idn=(1.5~2)Kfb*IdР来计算选择。Р快速熔断器的选择Р快速熔断器用于过电流的保护,它的断流时间在10 ms以内,快速熔断器的熔体额定电流IN按下式选择:РITm<=IN<=1.57 ITNРItm≈2×0.577 IN=2×0.577×200A=230.8AРMOSFET保护电路选择Р电容的选择一般按布线电感磁场能量全部转化为电场的能量估算。即LbIo²/2=Cs(Ucep-Uo)²得РCs≥LbIo²/(Ucep-Uo)²Р式中Lb---是主回路布线电感μH;РIo---MOSFET 关断时源极电流A;РUcep---缓冲电容器电压稳定值;РUo---直流电源电压V。РLb可按Lb=5~20μH估算。Ucep为保证可靠,可取稍低于MOSFET耐压值为宜,取Ucep=600V进行计算。取Io=Id、Uo=325V,得РCs=LbIo²/(Ucep-Uo)²=0.0962μFР取Cs=0.1μF、耐压650V。Р缓冲电阻Rs计算要求MOSFET关断信号到来之前,将缓冲电容器所积蓄的电荷放完,以关断信号之前放电90%为条件,计算公式如下:РRs≤1/(6fCs)Рf为开关频率、MOSFET最大开关频率为50KHz,则有РRs=1/(6fCs)≈33Ω;РVDs电流定额按MOSFET通过电流的1/10选择为:0.19A。Р3.4 主电路结构设计Р在考虑到减少电路误差的情况下,我们采用了如图8所示的主电路,主回路由
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