确保自主开发的技术;第二,设备投资规模小,开展业务的风险较小"。Р美国II-VI公司规模不太大,4H-SiC衬底的微管密度为1.3个/cm2、优质品为"无微管"。位错密度低于1万个/cm2。II-VI公司已经开发完成直径5英寸的SiC衬底,预计2012年左右销售6英寸产品。"力争到2014~2015年左右,销量达到现在的9倍"。Р东丽道康宁也已开始供应衬底,"品质不亚于顶尖厂商--美国科瑞"。3英寸的4H-SiC衬底微管密度不超过3个/cm2,"实际上为约0.2个/cm2",错位缺陷密度在5000~7000个/cm2左右,表面缺陷所占比例达到5~15%。除3英寸衬底外,东丽道康宁还提供3英寸的外延晶片。计划2010年7~9月开始供应4英寸衬底,预计2011年样品供应6英寸衬底。Р普利司通可样品提供直径分别为2英寸和3英寸的4H-SiC衬底,"在2009年内样品供应4英寸产品"。顶级产品的微管缺陷几乎为零,位错密度低于其他公司产品。普利司通除了供应功率器件用SiC衬底外,还提供LED用6H-SiC及高频器件用半绝缘6H– SiC衬底,预计今后将继续增大功率器件用SiC衬底的供应量。Р北京天科合达蓝光半导体公司的SiC衬底,品质尚不及欧美厂商。微管密度最多达到50个/cm2,直径为2-3英寸,已有4英寸产品,其日本代理商是New Metals&Chemicals。РSiC单晶生长一般使用"升华法"。住友金属工业综合技术研究所基于自身积累的高温控制技术,从2000年开始研究熔液生长法,并在NEDO(新能源产业技术综合开发机构)的协助下,04年成功生长出2英寸单晶,06年达到4英寸,通过改进晶种和坩埚旋转速度,生长速度提高到200μm/小时,08年生长出cm级晶体。Р除了德国SiCrystal公司外,欧洲还有瑞典的Norstel公司。不过,有关该公司的报道很少,很可能是其产量很低。
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