53.EI mAI mAU V三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中A点。10V2k200k(b)0.04652.3255.EI mAI mAU V三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中B点。10V2k20k(c)0.46523.2536.EI mAI mAU V 以上算出的IC 与UCE值是荒谬的,实质上此时三极管巳工作在饱和区,故IB=0.465 mA,IC≈VCC/RC=5mA,UCE=UCES≈0.3V,见图P1-14(g)中C点。10V2k20k2V(d)IIU V V 三极管工作在截止区,见图P1-14(g)中D点。10V20k20k(e)三极管工作在截止区,见图P1-14(g)中E点(与D点重合)。IIU V V 10V200k(c)0.04652.I mAI mAU V V 三极管工作在放大区,见图P1-14(g)中F点。FD、EABC图P1-14(g)习题1-15 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图P1-15所示。试识别它们的管脚,分别标上e、b、c,并判断这两个三极管是NPN型还是PNP型,硅管还是锗管。1(+3V) 2(+9V)3(+3.2V)(a)1(-11V) 2(-6V)3(-6.7V)(a)解:本题的前提是两个三极管均工作在放大区。(a)1——发射极e,3——基级b,2——集电极c,三极管类型是NPN锗管。(b)2——发射极e,3——基级b,1——集电极c,三极管类型是PNP硅管。习题1-16 已知一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性曲线如图P1-16所示。试作出uDS=15V时的转移特性曲线,并由特性曲线求出该场效应管的开启电压UGS(th)和IDO值,以及当uDS=15V,uGS=4V时的跨导gm。uDS=15V由图可得,开启电压UGS(th)=2V,IDO=2.5mA,4 1.22.84.5 3.5DmGSig mSu
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